Beta-phase CuPc를 기반으로 한 OLED 소자의 특성 연구

초록

본 논문은 β상의 CuPc를 기반으로한 OLED의 계면변화와 소자특성에대해 연구했다. Copper phthalocyanine(CuPc) 박막은 OLED에 대해 정공주입층(HIL; Hole injection layer)로 이용 되어진다. CuPc 박막은일반적으로 준안정한 상태인 α와 안정한 상태인 β로 나뉘어진다. 일반적으로~10^-6 torr 의 진공상태의 실온에서 CuPc 박막을 증착할 경우 α상의 결정성을 띄게 된다. 약 210℃의 기판온도 (T_s; Substrate temperature)에서β상으로 전이되기 시작해 약 300 ℃에서 완전한 β상으로 전이된다. 본 논문에서는 α 상의 벌크로 성장시킨CuPc와 β상의 벌크로 성장시킨 CuPc, 그리고 β상의 퍼층으로사용된 CuPc를 기반으로 한 ITO/CuPc/NPB/Alq_3/Al구조의 OLED의상변이와 거칠기 변화를 UV-Vis spectroscope 와 원자현미경(AFM; Atomic force microscopy)를 이용하여 조사하였다. 각 층의 거칠기 변화에 따른ILV(전류-휘도-전압)특성을 연구하였다. 벌크로 성장된 α상과 β상의 CuPc를 기반으로한 OLED의 구동전압은 각각 15 V, 6 V를나타내며 100 mA/㎠의 전류밀도에서 1120과 0.1 cd/㎡의휘도특성을 갖는다.β상의 CuPc박막의 표면 거칠기를 향상시키기위해 버퍼층으로 사용할 경우 11 V의 구동전압과 100 mA/㎠의전류밀도에서 119 cd/㎡의 휘도 특성을 갖는다.

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