두께 변화에 따른 펜타센 박막의 모폴로지, 결정구조와 전기적 특성

초록

열 증착 방법을 통해 다양한 두께의 펜타센 박막을 제작한 후 펜타센 층 두께에 따른 표면 모폴로지와 결정성, 전기적 특성 등을 분석하였다. X-ray diffraction 측정 결과 펜타센 박막 두께가 두꺼워짐에 따라 orthorhombic phase, thin film phase, triclinic bulk phase 가 차례로 나타났고, 그에 따라 표면 모폴로지가 변하는 것을 확인했다. 또한 펜타센 박막 트랜지스터의 문턱 전압, 포화 이동도를 측정한 결과 특정 두께에서 각각 극값을 갖는 것을 발견했다. 극값에 도달하기 전까지 문턱 전압은 두께에 따라 감소한 반면, 이동도는 증가했는데 이는 상대적으로 얇은 두께에서 많은 수의 그레인 경계가 생기기 때문이다. 펜타센 박막 트랜지스터의 최적화된 두께는 50 nm 였고 약 0.16 cm²/V·s 의 이동도를 보였다.

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